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空芯光子晶體光纖
- 產(chǎn)品型號(hào)：
- 更新時(shí)間：2023-12-15
- 產(chǎn)品介紹：空芯光子晶體光纖在被微結(jié)構(gòu)包圍的空隙中傳導(dǎo)光。光子帶隙可以在具有周期性結(jié)構(gòu)折射率的材料中形成，例如光子晶體光纖就是在石英中周期性排布空氣孔形成的。這些出售的光纖是基于其總體的光學(xué)規(guī)格，而不是其物理特性。
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產(chǎn)品介紹
| 品牌 | Thorlabs | 供貨周期 | 一個(gè)月 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子 |
空芯光子晶體光纖
空芯光子晶體光纖特性
設(shè)計(jì)波長(zhǎng)800、1060、1550或2000 nm
7芯或19芯可以提供很大的連續(xù)工作帶寬
中心模式和寄生表面模式數(shù)少
在設(shè)計(jì)波長(zhǎng)處零色散
近高斯分布基模
幾乎無(wú)光學(xué)非線性
幾乎無(wú)彎曲損耗
在端面上無(wú)菲涅耳反射(模態(tài)折射率 ≈ 1)
應(yīng)用領(lǐng)域
超短高功率光脈沖傳輸
脈沖壓縮與脈沖整形
傳感器與光譜學(xué)
光子帶隙(空芯)光纖在被微結(jié)構(gòu)包圍的空隙中傳導(dǎo)光。光子帶隙可以在具有周期性結(jié)構(gòu)折射率的材料中形成，例如光子晶體光纖就是在石英中周期性排布空氣孔形成的。這些出售的光纖是基于其總體的光學(xué)規(guī)格，而不是其物理特性。
包層中的光子帶隙相當(dāng)于幾乎無(wú)損耗的反射鏡，將光限制在纖芯中，而無(wú)需用實(shí)心材料制作。在一些類(lèi)型的PCF中，小于1%的光功率在玻璃中傳播，大幅減輕了玻璃體材料對(duì)光纖性質(zhì)的影響。因此，空心光子晶體光纖表現(xiàn)出極低的非線性，高擊穿閾值，在設(shè)計(jì)波長(zhǎng)處的零色散和極低的界面反射。因此用相對(duì)高損耗的材料制作低損耗的光纖也成為可能，大大地?cái)U(kuò)展了可制造光纖的材料的范圍。該光纖由單層丙烯酸涂覆層保護(hù)，可以像一般實(shí)心光纖一樣剝離和切割。
模態(tài)特性與普通單模光纖一樣，空芯光子晶體光纖的佳模式也具有類(lèi)高斯強(qiáng)度分布的特征。雖然空芯光子晶體光纖像和其他單模光纖一樣使用，但目前還沒(méi)有低損耗空芯光子晶體光纖作為的單模波導(dǎo)。它們通常支持幾種高階芯層模式，在有些場(chǎng)合下，還有額外的“表面"模式分布于芯層包層界面。所有這些模式一般都有比基模更高的損耗，并且衰減很迅速，但是在設(shè)計(jì)輸入和輸出耦合光學(xué)元件時(shí)還是需要考慮它們的存在。
色散普通光纖的材料色散是影響總體色散的主要因素，而在空芯光子晶體光纖中，群速度色散(GVD)主要由波導(dǎo)色散決定。對(duì)于任何設(shè)計(jì)波長(zhǎng)，色散在工作波段為零并隨波長(zhǎng)變化而迅速變大。包括那些在傳統(tǒng)光纖中由于石英的色散無(wú)法得到零色散的波長(zhǎng)。
衰減空芯光纖僅傳導(dǎo)包層的光子帶隙覆蓋的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的光。超出該范圍-－通常為設(shè)計(jì)波長(zhǎng)的10%－衰減將迅速增加。
終端請(qǐng)注意：這些光纖將以兩端為密封的形式發(fā)貨，因?yàn)檫@樣可以在存儲(chǔ)中避免水分和灰塵進(jìn)入空心微管中。在使用前需要事先將其切割，例如用我們的S90R紅寶石光纖切割器或我們的Vytran®
CAC400小型光纖切割器。
規(guī)格
光學(xué)特性
Item # | Design | Mode Field Diametera | Numerical | Effective Mode | Attenuation | Operating | Core Index | Cladding |
HC-800B | 800 nm | 5.5 ± 1 µm @ 850 nm | ~0.20 | - | < 0.25 dB/m @ 820 nm | 770 - 870 nm | Proprietaryc | Proprietaryc |
HC-1060 | 1060 nm | 7.5 ± 1 µm | ~0.20 | ~0.99 | < 0.1 dB/m @ 1060 nm | - | ||
HC-1550 | 1550 nm | 9 ± 1 µm @ 1550 nm | ~0.20 | - | < 0.03 dB/m @ 1550 nm | 1490 - 1680 nm | ||
HC-2000 | 2000 nm | 12 ± 2 µm | ~0.20 | - | < 0.02 dB/m @ 2000 nm | 1965 - 2125 nm |
a. 近場(chǎng)強(qiáng)度分布的1/e全寬。
b. 衰減范圍< 0.25 dB/m。
c. 很抱歉，我們不能夠提供專有信息。
物理特性
Item # | Core Diameter | Air Fill (in Holey Region) | Diameter of Holey Region | Silica Cladding Diameter | Coating Diameter (Fiber O.D.) |
HC-800B | 7.5 ± 1 µma | >90% | 45 ± 5 µm | 130 ± 5 µm | 220 ± 50 µm |
HC-1060 | 10 ± 1 µma | >90% | 50 µm | 123 ± 5 µm | 220 ± 50 µm |
HC-1550 | 10 ± 1 µma | >90% | 70 ± 5 µm | 120 ± 2 µm | 220 ± 30 µm |
HC-2000 | 15 ± 1 µma | >90% | 90 ± 5 µm | 155 ± 5 µm | 275 ± 30 µm |
移除包層中7個(gè)六邊形單元之后的形成的纖芯
移除包層中19個(gè)六邊形單元之后的形成的纖芯
曲線
損傷閥值
激光誘導(dǎo)的光纖損傷
以下教程詳述了無(wú)終端(裸露的)、有終端光纖以及其他基于激光光源的光纖元件的損傷機(jī)制，包括空氣-玻璃界面(自由空間耦合或使用接頭時(shí))的損傷機(jī)制和光纖玻璃內(nèi)的損傷機(jī)制。諸如裸纖、光纖跳線或熔接耦合器等光纖元件可能受到多種潛在的損傷(比如，接頭、光纖端面和裝置本身)。光纖適用的大功率始終受到這些損傷機(jī)制的小值的限制。
雖然可以使用比例關(guān)系和一般規(guī)則估算損傷閾值，但是，光纖的損傷閾值在很大程度上取決于應(yīng)用和特定用戶。用戶可以以此教程為指南，估算大程度降低損傷風(fēng)險(xiǎn)的安全功率水平。如果遵守了所有恰當(dāng)?shù)闹苽浜瓦m用性指導(dǎo)，用戶應(yīng)該能夠在的大功率水平以下操作光纖元件；如果有元件并未大功率，用戶應(yīng)該遵守下面描述的"實(shí)際安全水平"該，以安全操作相關(guān)元件?？赡芙档凸β蔬m用能力并給光纖元件造成損傷的因素包括，但不限于，光纖耦合時(shí)未對(duì)準(zhǔn)、光纖端面受到污染或光纖本身有瑕疵。關(guān)于特定應(yīng)用中光纖功率適用能力的深入討論，請(qǐng)聯(lián)系技術(shù)支持techsupport-cn@thorlabs.com。
Quick Links |
Damage at the Air / Glass Interface |
Intrinsic Damage Threshold |
Preparation and Handling of Optical Fibers |
空氣-玻璃界面的損傷
空氣/玻璃界面有幾種潛在的損傷機(jī)制。自由空間耦合或使用光學(xué)接頭匹配兩根光纖時(shí)，光會(huì)入射到這個(gè)界面。如果光的強(qiáng)度很高，就會(huì)降低功率的適用性，并給光纖造成yong久性損傷。而對(duì)于使用環(huán)氧樹(shù)脂將接頭與光纖固定的終端光纖而言，高強(qiáng)度的光產(chǎn)生的熱量會(huì)使環(huán)氧樹(shù)脂熔化，進(jìn)而在光路中的光纖表面留下殘留物。
損傷的光纖端面
未損傷的光纖端面
裸纖端面的損傷機(jī)制
光纖端面的損傷機(jī)制可以建模為大光學(xué)元件，紫外熔融石英基底的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)損傷閾值適用于基于石英的光纖(參考右表)。但是與大光學(xué)元件不同，與光纖空氣/璃界面相關(guān)的表面積和光束直徑都非常小，耦合單模(SM)光纖時(shí)尤其如此，因此，對(duì)于給定的功率密度，入射到光束直徑較小的光纖的功率需要比較低。
右表列出了兩種光功率密度閾值：一種理論損傷閾值，一種"實(shí)際安全水平"。一般而言，理論損傷閾值代表在光纖端面和耦合條件非常好的情況下，可以入射到光纖端面且沒(méi)有損傷風(fēng)險(xiǎn)的大功率密度估算值。而"實(shí)際安全水平"功率密度代表光纖損傷的低風(fēng)險(xiǎn)。超過(guò)實(shí)際安全水平操作光纖或元件也是有可以的，但用戶必須遵守恰當(dāng)?shù)倪m用性說(shuō)明，并在使用前在低功率下驗(yàn)證性能。
計(jì)算單模光纖和多模光纖的有效面積單模光纖的有效面積是通過(guò)模場(chǎng)直徑(MFD)定義的，它是光通過(guò)光纖的橫截面積，包括纖芯以及部分包層。耦合到單模光纖時(shí)，入射光束的直徑必須匹配光纖的MFD，才能達(dá)到良好的耦合效率。
例如，SM400單模光纖在400 nm下工作的模場(chǎng)直徑(MFD)大約是?3 µm，而SMF-28 Ultra單模光纖在1550 nm下工作的MFD為?10.5 µm。則兩種光纖的有效面積可以根據(jù)下面來(lái)計(jì)算：
SM400 Fiber:Area= Pi x (MFD/2)2 = Pi x (1.5µm)2 = 7.07 µm2= 7.07 x 10-8cm2
SMF-28 UltraFiber: Area = Pi x (MFD/2)2 = Pi x (5.25 µm)2= 86.6 µm2= 8.66 x 10-7cm2
為了估算光纖端面適用的功率水平，將功率密度乘以有效面積。請(qǐng)注意，該計(jì)算假設(shè)的是光束具有均勻的強(qiáng)度分布，但其實(shí)，單模光纖中的大多數(shù)激光束都是高斯形狀，使得光束中心的密度比邊緣處更高，因此，這些計(jì)算值將略高于損傷閾值或?qū)嶋H安全水平對(duì)應(yīng)的功率。假設(shè)使用連續(xù)光源，通過(guò)估算的功率密度，就可以確定對(duì)應(yīng)的功率水平：
SM400 Fiber: 7.07 x 10-8cm2x 1MW/cm2= 7.1 x10-8MW =71 mW (理論損傷閾值)
7.07 x 10-8cm2x 250 kW/cm2= 1.8 x10-5kW = 18 mW (實(shí)際安全水平)
SMF-28 Ultra Fiber: 8.66 x 10-7cm2x 1MW/cm2= 8.7 x10-7MW =870mW (理論損傷閾值)
8.66 x 10-7cm2x 250 kW/cm2= 2.1 x10-4kW =210 mW (實(shí)際安全水平)
多模(MM)光纖的有效面積由纖芯直徑確定，一般要遠(yuǎn)大于SM光纖的MFD值。如要獲得佳耦合效果，Thorlabs建議光束的光斑大小聚焦到纖芯直徑的70 - 80%。由于多模光纖的有效面積較大，降低了光纖端面的功率密度，因此，較高的光功率(一般上千瓦的數(shù)量級(jí))可以無(wú)損傷地耦合到多模光纖中。
Estimated Optical Power Densities on Air / Glass Interfacea | ||
Type | Theoretical Damage Thresholdb | Practical Safe Levelc |
CW(Average Power) | ~1 MW/cm2 | ~250 kW/cm2 |
10 ns Pulsed(Peak Power) | ~5 GW/cm2 | ~1 GW/cm2 |
所有值針對(duì)無(wú)終端(裸露)的石英光纖，適用于自由空間耦合到潔凈的光纖端面。
這是可以入射到光纖端面且沒(méi)有損傷風(fēng)險(xiǎn)的大功率密度估算值。用戶在高功率下工作前，必須驗(yàn)證系統(tǒng)中光纖元件的性能與可靠性，因其與系統(tǒng)有著緊密的關(guān)系。
這是在大多數(shù)工作條件下，入射到光纖端面且不會(huì)損傷光纖的安全功率密度估算值。
插芯/接頭終端相關(guān)的損傷機(jī)制
有終端接頭的光纖要考慮更多的功率適用條件。光纖一般通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂粘合到陶瓷或不銹鋼插芯中。光通過(guò)接頭耦合到光纖時(shí)，沒(méi)有進(jìn)入纖芯并在光纖中傳播的光會(huì)散射到光纖的外層，再進(jìn)入插芯中，而環(huán)氧樹(shù)脂用來(lái)將光纖固定在插芯中。如果光足夠強(qiáng)，就可以熔化環(huán)氧樹(shù)脂，使其氣化，并在接頭表面留下殘?jiān)?。這樣，光纖端面就出現(xiàn)了局部吸收點(diǎn)，造成耦合效率降低，散射增加，進(jìn)而出現(xiàn)損傷。
與環(huán)氧樹(shù)脂相關(guān)的損傷取決于波長(zhǎng)，出于以下幾個(gè)原因。一般而言，短波長(zhǎng)的光比長(zhǎng)波長(zhǎng)的光散射更強(qiáng)。由于短波長(zhǎng)單模光纖的MFD較小，且產(chǎn)生更多的散射光，則耦合時(shí)的偏移也更大。
為了大程度地減小熔化環(huán)氧樹(shù)脂的風(fēng)險(xiǎn)，可以在光纖端面附近的光纖與插芯之間構(gòu)建無(wú)環(huán)氧樹(shù)脂的氣隙光纖接頭。我們的高功率多模光纖跳線就使用了這種設(shè)計(jì)特點(diǎn)的接頭。
曲線圖展現(xiàn)了帶終端的單模石英光纖的大概功率適用水平。每條線展示了考慮具體損傷機(jī)制估算的功率水平。大功率適用性受到所有相關(guān)損傷機(jī)制的低功率水平限制(由實(shí)線表示)。
確定具有多種損傷機(jī)制的功率適用性
光纖跳線或組件可能受到多種途徑的損傷(比如，光纖跳線)，而光纖適用的大功率始終受到與該光纖組件相關(guān)的低損傷閾值的限制。
例如，右邊曲線圖展現(xiàn)了由于光纖端面損傷和光學(xué)接頭造成的損傷而導(dǎo)致單模光纖跳線功率適用性受到限制的估算值。有終端的光纖在給定波長(zhǎng)下適用的總功率受到在任一給定波長(zhǎng)下，兩種限制之中的較小值限制(由實(shí)線表示)。在488 nm左右工作的單模光纖主要受到光纖端面損傷的限制(藍(lán)色實(shí)線)，而在1550
nm下工作的光纖受到接頭造成的損傷的限制(紅色實(shí)線)。
對(duì)于多模光纖，有效模場(chǎng)由纖芯直徑確定，一般要遠(yuǎn)大于SM光纖的有效模場(chǎng)。因此，其光纖端面上的功率密度更低，較高的光功率(一般上千瓦的數(shù)量級(jí))可以無(wú)損傷地耦合到光纖中(圖中未顯示)。而插芯/接頭終端的損傷限制保持不變，這樣，多模光纖的大適用功率就會(huì)受到插芯和接頭終端的限制。
請(qǐng)注意，曲線上的值只是在合理的操作和對(duì)準(zhǔn)步驟幾乎不可能造成損傷的情況下粗略估算的功率水平值。值得注意的是，光纖經(jīng)常在超過(guò)上述功率水平的條件下使用。不過(guò)，這樣的應(yīng)用一般需要專業(yè)用戶，并在使用之前以較低的功率進(jìn)行測(cè)試，盡量降低損傷風(fēng)險(xiǎn)。但即使如此，如果在較高的功率水平下使用，則這些光纖元件應(yīng)該被看作實(shí)驗(yàn)室消耗品。
光纖內(nèi)的損傷閾值
除了空氣玻璃界面的損傷機(jī)制外，光纖本身的損傷機(jī)制也會(huì)限制光纖使用的功率水平。這些限制會(huì)影響所有的光纖組件，因?yàn)樗鼈兇嬖谟诠饫w本身。光纖內(nèi)的兩種損傷包括彎曲損耗和光暗化損傷。
彎曲損耗
光在纖芯內(nèi)傳播入射到纖芯包層界面的角度大于臨界角會(huì)使其無(wú)法全反射，光在某個(gè)區(qū)域就會(huì)射出光纖，這時(shí)候就會(huì)產(chǎn)生彎曲損耗。射出光纖的光一般功率密度較高，會(huì)燒壞光纖涂覆層和周?chē)乃商坠堋?/span>
有一種叫做雙包層的特種光纖，允許光纖包層(第二層)也和纖芯一樣用作波導(dǎo)，從而降低彎折損傷的風(fēng)險(xiǎn)。通過(guò)使包層/涂覆層界面的臨界角高于纖芯/包層界面的臨界角，射出纖芯的光就會(huì)被限制在包層內(nèi)。這些光會(huì)在幾厘米或者幾米的距離而不是光纖內(nèi)的某個(gè)局部點(diǎn)漏出，從而大限度地降低損傷。Thorlabs生產(chǎn)并銷(xiāo)售0.22 NA雙包層多模光纖，它們能將適用功率提升百萬(wàn)瓦的范圍。
光暗化
光纖內(nèi)的第二種損傷機(jī)制稱為光暗化或負(fù)感現(xiàn)象，一般發(fā)生在紫外或短波長(zhǎng)可見(jiàn)光，尤其是摻鍺纖芯的光纖。在這些波長(zhǎng)下工作的光纖隨著曝光時(shí)間增加，衰減也會(huì)增加。引起光暗化的原因大部分未可知，但可以采取一些列措施來(lái)緩解。例如，研究發(fā)現(xiàn)，羥基離子(OH)含量非常低的光纖可以抵抗光暗化，其它摻雜物比如氟，也能減少光暗化。
即使采取了上述措施，所有光纖在用于紫外光或短波長(zhǎng)光時(shí)還是會(huì)有光暗化產(chǎn)生，因此用于這些波長(zhǎng)下的光纖應(yīng)該被看成消耗品。
制備和處理光纖
通用清潔和操作指南
建議將這些通用清潔和操作指南用于所有的光纖產(chǎn)品。而對(duì)于具體的產(chǎn)品，用戶還是應(yīng)該根據(jù)輔助文獻(xiàn)或手冊(cè)中給出的具體指南操作。只有遵守了所有恰當(dāng)?shù)那鍧嵑筒僮鞑襟E，損傷閾值的計(jì)算才會(huì)適用。
安裝或集成光纖(有終端的光纖或裸纖)前應(yīng)該關(guān)掉所有光源，以避免聚焦的光束入射在接頭或光纖的脆弱部分而造成損傷。
光纖適用的功率直接與光纖/接頭端面的質(zhì)量相關(guān)。將光纖連接到光學(xué)系統(tǒng)前，一定要檢查光纖的末端。端面應(yīng)該是干凈的，沒(méi)有污垢和其它可能導(dǎo)致耦合光散射的污染物。另外，如果是裸纖，使用前應(yīng)該剪切，用戶應(yīng)該檢查光纖末端，確保切面質(zhì)量良好。
如果將光纖熔接到光學(xué)系統(tǒng)，用戶先應(yīng)該在低功率下驗(yàn)證熔接的質(zhì)量良好，然后在高功率下使用。熔接質(zhì)量差，會(huì)增加光在熔接界面的散射，從而成為光纖損傷的來(lái)源。
對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)和優(yōu)化耦合時(shí)，用戶應(yīng)該使用低功率；這樣可以大程度地減少光纖其他部分(非纖芯)的曝光。如果高功率光束聚焦在包層、涂覆層或接頭，有可能產(chǎn)生散射光造成的損傷。
高功率下使用光纖的注意事項(xiàng)
一般而言，光纖和光纖元件應(yīng)該要在安全功率水平限制之內(nèi)工作，但在理想的條件下(佳的光學(xué)對(duì)準(zhǔn)和非常干凈的光纖端面)，光纖元件適用的功率可能會(huì)增大。用戶先必須在他們的系統(tǒng)內(nèi)驗(yàn)證光纖的性能和穩(wěn)定性，然后再提高輸入或輸出功率，遵守所有所需的安全和操作指導(dǎo)。以下事項(xiàng)是一些有用的建議，有助于考慮在光纖或組件中增大光學(xué)功率。
要防止光纖損傷光耦合進(jìn)光纖的對(duì)準(zhǔn)步驟也是重要的。在對(duì)準(zhǔn)過(guò)程中，在取得佳耦合前，光很容易就聚焦到光纖某部位而不是纖芯。如果高功率光束聚焦在包層或光纖其它部位時(shí)，會(huì)發(fā)生散射引起損傷
使用光纖熔接機(jī)將光纖組件熔接到系統(tǒng)中，可以增大適用的功率，因?yàn)樗梢源蟪潭鹊販p少空氣/光纖界面損傷的可能性。用戶應(yīng)該遵守所有恰當(dāng)?shù)闹笇?dǎo)來(lái)制備，并進(jìn)行高質(zhì)量的光纖熔接。熔接質(zhì)量差可能導(dǎo)致散射，或在熔接界面局部形成高熱區(qū)域，從而損傷光纖。
連接光纖或組件之后，應(yīng)該在低功率下使用光源測(cè)試并對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)。然后將系統(tǒng)功率緩慢增加到所希望的輸出功率，同時(shí)周期性地驗(yàn)證所有組件對(duì)準(zhǔn)良好，耦合效率相對(duì)光學(xué)耦合功率沒(méi)有變化。
由于劇烈彎曲光纖造成的彎曲損耗可能使光從受到應(yīng)力的區(qū)域漏出。在高功率下工作時(shí)，大量的光從很小的區(qū)域(受到應(yīng)力的區(qū)域)逃出，從而在局部形成產(chǎn)生高熱量，進(jìn)而損傷光纖。請(qǐng)?jiān)诓僮鬟^(guò)程中不要破壞或突然彎曲光纖，以盡可能地減少?gòu)澢鷵p耗。
用戶應(yīng)該針對(duì)給定的應(yīng)用選擇合適的光纖。例如，大模場(chǎng)光纖可以良好地代替標(biāo)準(zhǔn)的單模光纖在高功率應(yīng)用中使用，因?yàn)榍罢呖梢蕴峁└训墓馐|(zhì)量，更大的MFD，且可以降低空氣/光纖界面的功率密度。
階躍折射率石英單模光纖一般不用于紫外光或高峰值功率脈沖應(yīng)用，因?yàn)檫@些應(yīng)用與高空間功率密度相關(guān)。
空芯光子晶體光纖，7芯
產(chǎn)品型號(hào) | 公英制通用 |
HC-800B | 空芯光子晶體光纖，800 nm，纖芯?7.5 µm |
HC-1060 | 空芯光子晶體光纖，1060 nm，纖芯?10 µm |
HC-1550 | 空芯光子晶體光纖，1550 nm，纖芯?10 µm |
HC-2000 | 空芯光子晶體光纖，2000 nm，纖芯?14.5 µm |
